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    额定的容量可以做到非常大，可以轻易做到几万μf甚至几f。但不能和双电层电容相比）。价格低廉。比其它种类电容，在价格上具有压倒性优势，因为其组成材料都是普通的工业材料。制造电解电容的设备也都是普通的工业设备，可以大规模生产，成本相对比较低。新型的电解电容发展的非常快，某些产品的性能已达到无机电容器的水准，电解电容正在替换某些无机和有机介质电容器。电解电容的使用范围相当，基本上，有电源的设备都会使用到电解电容。电解电容的分类，传统的方法都是按阳极材质，比如说铝或者钽。所以，电解电容按阳极分，为以下几种：铝电解电容（CL）电容量：0。47--10000μ额定电压：主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大。应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等不管是SMT贴片工艺的（“贴片电容”，识别方式是底坐有黑色橡胶），还是直插式的，或者有塑料表皮的，只要它们的阳极材质是铝，那么他们就都叫做铝电解电容。电容的封装方式和电容的品质本身并无直接联系，电容的性能只取决于具体型号钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）电容量：0。1--1000μ额定电压：6。3--125V主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容。国巨电容原装现货找巨新科。国巨电容麦克风

    这里电流表示电流密度，即J)设交流电压为正弦变化，即：实际位移电流等于电流密度乘以面积：所以电容的容抗为1/ωC，频率很高时，电容容抗会很小，也就是通高频。下图是利用ANSYSHFSS仿真的平行板电容器内部的电磁场的变化。横截面电场变化(GIF动图，貌似要点击查看)纵断面磁场变化(GIF动图，貌似要点击查看)也就是说电容在通交流的时候，内部的电场和磁场在相互转换。隔直流直流电压不随时间变化，位移电流ε(∂E/∂t)为0，直流分量无法通过。实际电容等效模型实际电容的特性都是非理想的，有一些寄生效应；因此，需要用一个较为复杂的模型来表示实际电容，常用的等效模型如下：·由于介质都不是一定绝缘的，都存在着一定的导电能力；因此，任何电容都存在着漏电流，以等效电阻Rleak表示；·电容器的导线、电极具有一定的电阻率，电介质存在一定的介电损耗；这些损耗统一以等效串联电阻ESR表示；·电容器的导线存在着一定的电感，在高频时影响较大，以等效串联电感ESL表示；·另外，任何介质都存在着一定电滞现象，就是电容在快速放电后，突然断开电压，电容会恢复部分电荷量，以一个串联RC电路表示。·大多数时候，主要关注电容的ESR和ESL。品质因数。广东高压电容电池华科高频电容原装现货。

    Multi-layerCeramicCapacitor)多层陶瓷电容，也就是MLCC，片状(Chip)的多层陶瓷电容是目前世界上使用量极大的电容类型，其标准化封装，尺寸小，适用于自动化高密度贴片生产。也就是我自己设计的主板，自己拍的照片，加了艺术效果；没有标引用和出处的图片和内容，绝大多数都是我自己画或弄出来的，剩下一点点可能疏忽忘加了；标引用的图片，很多都是我重新加工的，例如翻译或几张图拼在一起等等，工具很土EXCEL+截图。多层陶瓷电容的内部结构如下图所示：原图出自SMDMLCCforHighPowerApplications-KEMET多层陶瓷电容生产流程如下图所示：原图出自Capacitors,Part2"CeramicCapacitors[1]"由于多层陶瓷需要烧结瓷化，形成一体化结构，所以引线(Lead)封装的多层陶瓷电容，也叫独石(Monolithic)电容。在谈谈电感中也介绍过多层陶瓷工艺和ThinFilm工艺。ThinFilm技术在性能或工艺控制方面都比较先进，可以精确的控制器件的电性能和物理性能。因此，ThinFilm电容性能比较好，极小容值可以做到，而容差可以做到；比通常MLCC要好很多，像Murata的GJM系列，极小容值是，容差通常都是；因此，ThinFilm电容可以用于要求比较高的RF领域，AVX有Accu-P®系列。

    各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。在直流电场的作用下。电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。损耗角正切：在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率。在实际应用中，电容器并不是一个纯电容，其内部还有等效电阻。C为电容器的实际电容量，Rs是电容器的串联等效电阻，Rp是介质的绝缘电阻，Ro是介质的吸收等效电阻。对于电子设备来说，要求Rs愈小愈好，也就是说要求损耗功率小，其与电容的功率的夹角δ要小。这个关系用下式来表达：tgδ=Rs/Xc=2πf×c×Rs因此，在应用当中应注意选择这个参数，避免自身发热过大，以减少设备的失效性。频率特性随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。电容器的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如9μF/450V22μF/50V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或用数字表示。风华电容代理商巨新科。

    湿式的钽电容主要长这样：截图于Vishay技术文档引申阅读：·GuideforTantalumSolidElectrolyteChipCapacitorswithPolymerCathode·WetElectrolyteTantalumCapacitors铌电解电容(Niobiumelectrolyticcapacitors)铌电解电容与钽电解电容类似，就是铌及其氧化物代替钽；铌氧化物(五氧化二铌)的介电常数比钽氧化物(五氧化二钽)更高；铌电容的性能更加稳定，可靠性更高。AVX有铌电容系列产品，二氧化锰钽电容外观是黄色，而铌电容外观是橙红色，大致长这样：图片出自AVX网站引申阅读：·TantalumPolymerandNiobiumOxideCapacitors·OxiCap®-niobiumoxidecapacitor电解电容对比表，数据来源于维基百科，只供参考。引申阅读：·Electrolyticcapacitor3陶瓷电容(CeramicCapacitor)陶瓷电容是以陶瓷材料作为介质材料，陶瓷材料有很多种，介电常数、稳定性都有不同，适用于不同的场合。陶瓷电容，主要有以下几种：瓷片电容(CeramicDiscCapacitor)瓷片电容的主要优点就是可以耐高压，通常用作安规电容，可以耐250V交流电压。其外观和结构如下图所示：原图出自本小节两篇引申阅读引申阅读：·Capacitors|DE1serieslineup·CeramicCapacitor多层陶瓷电容。华南国巨电容代理商公司。CBB电容专卖店

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    也称为塑料薄膜电容；其内部结构大致如下图所示：原图来自于维基百科薄膜电容根据其电极的制作工艺，可以分为两类：金属箔薄膜电容(Film/Foil)金属箔薄膜电容，直接在塑料膜上加一层薄金属箔，通常是铝箔，作为电极；这种工艺较为简单，电极方便引出，可以应用于大电流场合。金属化薄膜电容(MetallizedFilm)金属化薄膜电容，通过真空沉积(VacuumDeposited)工艺直接在塑料膜的表面形成一个很薄的金属表面，作为电极；由于电极厚度很薄，可以绕制成更大容量的电容；但由于电极厚度薄，只适用于小电流场合。金属化薄膜电容就是具有自我修复的功能，即假如电容内部有击穿损坏点，会在损坏处产生雪崩效应，气化金属在损坏处将形成一个气化集中面，短路消失，损坏点被修复；因此，金属化薄膜电容可靠性非常高，不存在短路失效；薄膜电容有两种卷绕方法：有感绕法在卷绕前，引线就已经和内部电极连在一起；无感绕法在绕制后，会采用镀金等工艺，将两个端面的内部电极连成一个面，这样可以获得较小的ESL，应该高频性能较高；此外，还有一种叠层型的无感电容，结构与MLCC类似，性能较好，便于做成SMD封装。极早的薄膜电容的介质材料是用纸浸注在油或石蜡中。国巨电容麦克风

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